КорзинаСписок желаний
Рекомендуемые товары
Контактные данные
Магазин "Бесплатная доставка"
Контактное лицо:
Partner
Телефоны:
+380 (93) 679-10-14показать+380 (93) 679-10-14 все+380 (93) 679-10-14 Лайф+380 (66) 280-22-89 МТС
E-mail:
ICQ:
356584487
Адрес:
Украина, Ровненская обл., Ровно, Ровно
График работы:
Пн-Пт 10:00 - 19:00 без перерывов;
Сб, Вс выходные
+380 (93) 679-10-14показать+380 (93) 679-10-14

Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 транзистор IGBT

Код: 114676
ОписаниеПодобные товары
30 грн
Минимальный заказ: 0 шт.
В наличии
Купить
Бесплатная доставка
Условия оплаты и доставки
Контактная информация
+380 (93) 679-10-14показать+380 (93) 679-10-14 все+380 (93) 679-10-14 Лайф+380 (66) 280-22-89 МТС
Адрес: Украина, Ровненская обл., Ровно, Ровно
Написать компании

Описание

На все товары магазина возможны персональные скидки, в зависимости от стоимости заказа и покупаемоего товара.

30F131 это n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT). Транзистор в основном применяется в плазменных панелях. Транзистор рассчитан на напряжение пробоя 360 В и импульсный ток затвора до 200 А. Напряжение коллектор-эмиттер 1,9 В при токе 120 А.
Цена указана за единицу товара. При покупке значительных количеств (для каждого чипа индивидуально), можете указать в комментариях к заказу "Предложите скидку". Менеджер свяжется с Вами по телефону для согласования цены.
Примечание: мы не несем ответственности за работоспособность микросхемы в проектах и схемах, разработанных и собранных самим пользователем или третьими лицами. Работоспособность может гарантироваться только в проектах и схемах, которые разработаны производителями электроники. Покупатель должен сам оценить свою компетентность при создании проекта. При сомнениях в качестве исполнения микросхемы производителем, рекомендуем сначала покупать пробную партию в единичных количествах. При этом мы можем зарезервировать для Вас требуемые количества на срок до 7 дней, чтобы они были именно из этой партии.

Характеристики:

модель: 30F131;
производитель: Toshiba;
корпус: TO-263-2;
напряжение пробоя: 360 В;
максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А;
напряжение насыщения при номинальном токе: 1,9 В;
мощность: 140 Вт;
рабочая температура: -50 – 150°C.

Даташит.

Отзывы

Пока нет отзывов
Включен режим редактирования. Выйти из режима редактирования
наверх